Atomera, GaN-on-Si RF 장치의 채널 기생 손실 문제를 극복

작가: Hover Technology

2026-06-10

선도적인 반도체 재료 및 기술 라이선싱 제공업체인 Atomera는 업계를 괴롭히는 오랜 채널 기생 손실 병목 현상을 근본적으로 해결하는 고급 GaN-on-Si(실리콘 기반 질화 갈륨) 기술 솔루션을 공개했습니다. 채널 기생 손실은 GaN-on-Si 장치의 작동 효율성을 저하시키는 중요한 결함으로, 고주파 작동 조건에서 성능 저하가 특히 심해지며 고급 RF 시나리오에서 실리콘 기반 질화갈륨의 적용 및 홍보를 심각하게 제한합니다.

새로 출시된 기술 솔루션은 기생 손실을 효과적으로 억제하는 동시에 GaN-on-Si 장치에 뛰어난 선형성 성능을 제공합니다. 이를 통해 5G 통신 시스템, 차세대 6G 네트워크 및 기타 고주파 무선 주파수 장비를 포함한 광범위한 고주파 RF 장치 애플리케이션을 포괄하는 저비용 고성능 실리콘 기반 질화갈륨 제품을 대량 생산할 수 있어 기존 GaN-on-Si 기술의 비용 대비 성능 불균형을 깨뜨릴 수 있습니다.

이러한 혁신의 핵심에는 최첨단 양자 공학 박막 혁신 기술인 Atomera의 독자적인 Mears Silicon Technology(MST)가 있습니다. 기술 원리는 표준 실리콘 웨이퍼 표면에 초박형 산소 개질 층을 정밀하게 성장시키는 것입니다. 특별히 조절된 이 박막은 실리콘 격자 구조를 최적화하여 도핑된 이온의 확산을 효과적으로 차단하고 질화갈륨 에피택셜 층과 실리콘 기판 사이의 계면 결정 품질을 획기적으로 향상시킵니다. 일반 실리콘 웨이퍼를 고성능 RF GaN 장치용 고품질 캐리어 기판으로 변환하여 기존 GaN-on-Si 인터페이스의 핵심 구조적 결함을 해결합니다.

엄격한 성능 테스트 데이터는 MST 기술의 강력한 장점을 검증합니다. GaN-on-Si 장치의 기생 채널 전하를 10배 이상 줄여 RF 전력 기생 손실을 크게 줄이고 질화갈륨 장치의 고주파 작동 성능을 종합적으로 업그레이드합니다. 또한 MST 기술이 적용된 장치는 고부하 및 고전력 작동 조건에서도 매우 안정적인 신호 품질과 뛰어난 선형성을 유지하여 안정적인 고전력 신호 베어링 용량을 달성합니다.

Atomera의 최고 기술 책임자이자 설립자인 Robert Mears에 따르면 선형성은 RF 회로 설계 엔지니어에게 가장 중요한 평가 지표입니다. 최신 권위 있는 테스트 결과에 따르면 MST 지원 GaN-on-Si 장치의 RF 손실 및 선형성 성능이 고급 다중 트랩 RF SOI(Radio Frequency Silicon On Insulator) 장치 수준에 도달한 것으로 나타났습니다. 구체적으로, 30mW의 기본 입력 전력에서 MST 최적화 실리콘 기반 질화갈륨 웨이퍼의 선형성은 기존 GaN-on-Si 기준 웨이퍼보다 1,000배 더 높습니다. 또한 이 중요한 성능 이점은 입력 전력이 10W로 증가해도 안정적으로 유지되어 탁월한 최대 전력 작동 안정성을 보여줍니다.

Atomera의 CEO인 Scott Bibo는 업계 전반의 채널 기생 손실 딜레마를 성공적으로 해결함으로써 GaN-on-Si 트랙에서 Atomera의 견고한 기술적 해자와 핵심 경쟁 우위를 확립했다고 밝혔습니다. 그는 이 파괴적인 MST 기술이 고급 RF 통신 및 전력 전자 시장에서 회사의 엄청난 성장 잠재력을 열어 저비용, 고성능 실리콘 기반 질화갈륨 솔루션의 대규모 대중화를 위한 길을 열 것이라고 강조했습니다.

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이 문서는 정보 제공 및 업계 참조용으로만 제공됩니다. 관련된 모든 기술 데이터, 진술 및 관점은 발행일 현재 Atomera의 공식 릴리스 및 공개 테스트 데이터를 기반으로 합니다. 본 웹사이트는 콘텐츠의 절대적인 정확성, 완전성 및 적시성을 보장하지 않으며, 본 기사를 참조함으로써 발생하는 투자 결정, 기술 적용 또는 운영 손실에 대해 직간접적인 책임을 지지 않습니다. 기사에 언급된 모든 제품 및 기술 상표는 해당 소유자의 자산입니다. 무단복제, 수정, 상업적 이용을 금합니다.

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